Mit der kontinuierlichen Entwicklung hochintegrierter Schaltkreise wird der Chipherstellungsprozess immer komplexer, und die abnormale Mikrostruktur und Zusammensetzung von Halbleitermaterialien behindert die Verbesserung der Chipausbeute, was große Herausforderungen für die Implementierung neuer Halbleiter und integrierter Schaltkreise mit sich bringt Schaltungstechnologien.
GRGTEST bietet eine umfassende Analyse und Bewertung der Mikrostruktur von Halbleitermaterialien, um Kunden bei der Verbesserung von Halbleiter- und integrierten Schaltkreisprozessen zu unterstützen. Dazu gehören die Erstellung von Wafer-Level-Profilen und elektronischen Analysen, eine umfassende Analyse der physikalischen und chemischen Eigenschaften von Materialien im Zusammenhang mit der Halbleiterherstellung sowie die Formulierung und Implementierung einer Analyse von Verunreinigungen in Halbleitermaterialien Programm.
Halbleitermaterialien, organische Kleinmolekülmaterialien, Polymermaterialien, organisch/anorganische Hybridmaterialien, anorganische nichtmetallische Materialien
1. Die Profilvorbereitung und elektronische Analyse auf Chip-Wafer-Ebene basiert auf der fokussierten Ionenstrahltechnologie (DB-FIB), dem präzisen Schneiden des lokalen Bereichs des Chips und der elektronischen Bildgebung in Echtzeit und kann die Struktur, Zusammensetzung und andere Aspekte des Chipprofils ermitteln wichtige Prozessinformationen;
2. Umfassende Analyse der physikalischen und chemischen Eigenschaften von Materialien zur Halbleiterherstellung, einschließlich organischer Polymermaterialien, Materialien mit kleinen Molekülen, Analyse der Zusammensetzung anorganischer nichtmetallischer Materialien, Analyse der Molekülstruktur usw.;
3. Formulierung und Umsetzung eines Kontaminationsanalyseplans für Halbleitermaterialien.Es kann Kunden dabei helfen, die physikalischen und chemischen Eigenschaften von Schadstoffen vollständig zu verstehen, einschließlich: Analyse der chemischen Zusammensetzung, Analyse des Komponentengehalts, Analyse der Molekülstruktur und Analyse anderer physikalischer und chemischer Eigenschaften.
ServiceTyp | ServiceArtikel |
Analyse der Elementzusammensetzung von Halbleitermaterialien | l EDS-Elementaranalyse, l Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS) Elementaranalyse |
Molekulare Strukturanalyse von Halbleitermaterialien | l FT-IR-Infrarot-Spektrumanalyse, l Röntgenbeugungsspektroskopische Analyse (XRD), l Kernspinresonanz-Popanalyse (H1NMR, C13NMR) |
Mikrostrukturanalyse von Halbleitermaterialien | l Double Focused Ion Beam (DBFIB)-Schnittanalyse, l Feldemissions-Rasterelektronenmikroskopie (FESEM) wurde verwendet, um die mikroskopische Morphologie zu messen und zu beobachten. l Rasterkraftmikroskopie (AFM) zur Beobachtung der Oberflächenmorphologie |